Samsung обгонит TSMC при запуске 4-нм производства в США — последней не хватает квалифицированных специалистов
В июле стало известно, что проект TSMC по строительству предприятий в штате Аризона реализуется с задержкой, и выпускать чипы по технологии N4 первое из двух предприятий начнёт не ранее 2025 года. Это позволяет конкурирующей Samsung Electronics утверждать, что свои 4-нм чипы она начнёт выпускать в штате Техас быстрее соперника, уже в четвёртом квартале 2024 года.
Источник изображения: Samsung Electronics
Как поясняет The Korea Herald, соответствующие заявления генеральный директор Samsung Electronics Кюн Ки Хён (Kyung Kye-hyun) сделал во время своего выступления перед студентами Сеульского национального университета на этой неделе. Как известно, Samsung Electronics строит в штате Техас своё второе предприятие, специализирующееся на контрактном производстве чипов для местных заказчиков. Как убеждён глава компании, на этой площадке выпуск 4-нм компонентов Samsung сможет начать уже к концу 2024 года. Руководитель Samsung заранее выразил гордость за сотрудников компании, чей самоотверженный труд позволит ей опередить конкурента в реализации проекта по выпуску 4-нм продукции в США, даже несмотря на наличие у TSMC некоторого преимущества по времени на старте.
Впрочем, как отметило агентство Reuters, председатель совета директоров TSMC Марк Лю (Mark Liu) по итогам своего визита в Аризону в августе обрёл уверенность в том, что данный проект будет успешным для компании. «За последние пять месяцев мы достигли впечатляющих успехов», — прокомментировал он прогресс в строительстве предприятия по выпуску чипов в Аризоне.
Глава Samsung Electronics также отметил, что успех в контрактном бизнесе должен способствовать тому, что капитализация бизнеса этой южнокорейской компании превысит $752 млрд. Сейчас главной проблемой для Samsung в развитии контрактного бизнеса, по словам докладчика, как раз является нехватка квалифицированных специалистов. Компания собирается продвигаться в сфере литографии и на направлении выпуска микросхем памяти. Например, для выпуска чипов DRAM производитель собирается использовать литографию 10-нм класса, а для выпуска твердотельной памяти 3D NAND будет применять компоновку из 1000 слоёв. Особое внимание будет уделяться и технологиям трёхмерной упаковки чипов.
Кстати, Samsung Electronics номинально удалось обойти TSMC по срокам освоения 3-нм технологии, но проблема заключается в том, что южнокорейская компания до сих пор не нарастила объёмы выпуска профильной продукции и не расширила перечень клиентов, тогда как TSMC хоть и задержалась относительно неё, в сфере массового производства 3-нм чипов сейчас продвинулась дальше, и в следующем квартале уже приступит к выпуску продукции по второму поколению 3-нм технологии (N3E).
Добавим, что главной причиной задержки старта производства TSMC в США называется нехватка квалифицированных рабочих со специальными знаниями, необходимыми для установки оборудования для производства полупроводников. Как в июле отметил Марк Лю (Mark Liu), председатель TSMC: «Хотя мы работаем над улучшением ситуации, включая отправку опытных технических специалистов из Тайваня для обучения местных специалистов в течение короткого периода времени, мы ожидаем, что график производства технологии N4 будет перенесен на 2025 год».
